9月25日，在2024集成電路(無錫)創(chuàng)新發(fā)展大會上，由上海交通大學無錫光子芯片研究院建設(shè)的國內(nèi)首條光子芯片中試線在無錫市濱湖區(qū)正式啟用。

　　據(jù)悉，該中試平臺總面積17000平方米，集科研、生產(chǎn)、服務(wù)于一體，配備了超100臺國際頂級CMOS工藝設(shè)備，覆蓋了薄膜鈮酸鋰光子芯片從光刻、薄膜沉積、刻蝕、濕法、切割、量測到封裝的全閉環(huán)工藝。平臺還兼顧硅、氮化硅等其他材料體系，搭建了N個特色工藝平臺，形成“1+N”先進光子器件創(chuàng)新平臺，不僅可為高校、科研院所、創(chuàng)新企業(yè)提供全流程技術(shù)服務(wù)，還可以為光子產(chǎn)業(yè)孵化項目，與產(chǎn)業(yè)基金高效聯(lián)動，打通從產(chǎn)品研發(fā)到市場化的完整鏈條，加速科技成果的商業(yè)化轉(zhuǎn)化。

　　“技術(shù)的高速迭代與創(chuàng)新是推動光子芯片產(chǎn)業(yè)化的核心關(guān)鍵。”上海交通大學無錫光子芯片研究院院長金賢敏表示，中試平臺不僅能加速技術(shù)迭代的飛輪效應(yīng)，促進工藝流程的持續(xù)優(yōu)化和產(chǎn)品創(chuàng)新能力的提升，還將以前所未有的速度觸摸到科技前沿的“天區(qū)”，破解創(chuàng)新鏈和產(chǎn)業(yè)鏈長期存在的結(jié)構(gòu)性矛盾。

　　據(jù)介紹，該中試線正式啟用后，預計年產(chǎn)能達10000片晶圓，2025年第一季度將正式發(fā)布PDK，提供對外流片服務(wù)。下階段，上海交通大學無錫光子芯片研究院將基于6/8寸薄膜鈮酸鋰晶圓，以薄膜鈮酸鋰調(diào)制器為核心，攻克薄膜鈮酸鋰光子芯片產(chǎn)業(yè)化面臨的工程技術(shù)難題，開發(fā)晶圓級芯片量產(chǎn)工藝，實現(xiàn)薄膜鈮酸鋰光子芯片規(guī)模量產(chǎn)，滿足人工智能發(fā)展等大算力需求。