日前，依托在江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司名下的江蘇省硅基電子材料重點實驗室獲批研發(fā)專項，獲批省財政廳、科技廳補助經(jīng)費300萬元，以激勵其諸多科技成果轉(zhuǎn)化對行業(yè)的突出貢獻。作為全球領(lǐng)先的多晶硅鑄錠、切片研發(fā)制造商，保利協(xié)鑫未來將進一步拓寬學(xué)科領(lǐng)域，加強太陽能硅材料、硅基光電子材料等新型功能材料的研究，不斷提升科技成果轉(zhuǎn)化水平。

　　江蘇省硅基電子材料重點實驗室總面積3000平方米，其中千級潔凈室近200平方米，可對硅錠、硅片表面形貌結(jié)構(gòu)、微區(qū)成分、晶向結(jié)構(gòu)、表面反射特征、光致發(fā)光衰減及雜質(zhì)元素等進行全面檢測分析，是一個太陽能級晶體硅材料長晶綜合研究平臺。2015年，經(jīng)省科技廳批準籌建，位于徐州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)的協(xié)鑫硅材料公司開始著手打造硅基電子材料重點實驗室。經(jīng)過三年多的建設(shè)，實驗室順利完成了各項考核任務(wù)，并于2018年4月通過省科技廳專家組驗收。通過大量研究成果轉(zhuǎn)化和生產(chǎn)工藝提升，目前多晶電池轉(zhuǎn)換效率提升至19.5%以上，單晶電池轉(zhuǎn)換效率提升至20.5%以上，處于行業(yè)領(lǐng)先水平。

　　依托于硅基電子材料重點實驗室的研發(fā)成果及眾多專家的一線攻關(guān)，保利協(xié)鑫“TS+”第二代黑硅片制絨成本降低約30%，以接近傳統(tǒng)制絨的成本獲取黑硅高轉(zhuǎn)化效率，電池效率增益將提升至0.5%，引領(lǐng)全國100余條黑硅產(chǎn)線、23吉瓦黑硅產(chǎn)能降本提效，未來“金剛線+黑硅+PERC”技術(shù)將成為300W+多晶組件的標配。此外，依托實驗室研發(fā)成果并提升長晶設(shè)備工藝，客戶反饋保利協(xié)鑫鑄錠單晶疊加PERC技術(shù)后與Cz單晶效率差僅為0.18%，高效鑄錠單晶組件(60片)可以封裝到310W，而成本大幅降低。利用鑄錠工藝特性和摻鎵技術(shù)，鑄錠單晶光衰比Cz單晶產(chǎn)品低0.5%以上。2011年至今，江蘇協(xié)鑫硅材料先后推出“鑫單晶”G系列、“鑫多晶”S系列高效硅片系列產(chǎn)品，持續(xù)引領(lǐng)全球光伏產(chǎn)業(yè)的高效潮流。